Câu ví dụ
- thêm câu ví dụ: 1 2
- High electron mobility transistor (HEMT)
electron cao sự nhanh nhẹn transistor (HEMT) - High electron mobility transistor [HEMT]
electron cao sự nhanh nhẹn transistor (HEMT) - At room temperature, its electron mobility can be as high as 20000 cm2/(V·s).
Ở nhiệt độ phòng, điện tử di động của nó có thể cao đến 20000cm2 / (V · s). - At room temperature, its electron mobility can be as high as 20000cm2 / (V · s).
Ở nhiệt độ phòng, điện tử di động của nó có thể cao đến 20000cm2 / (V · s). - The inverse-staggered structure offers a relatively simple fabrication process and an electron mobility that is about 30 percent larger than that of the staggered type.
Cấu trúc so le nghịch đảo cung cấp một quá trình tương đối đơn giản chế tạo và một di động điện tử là khoảng 30 phần trăm lớn hơn của các loại hình so le.